اخبار اخبار تکنولوژی

ساخت تراشه ای در این کشور برای حفظ اطلاعات هنگفت

تبلیغات بنری

چین تراشه های جاودانه برای ذخیره اطلاعات می سازد

به گزارش سایت توژال، محققان چینی ماده جدیدی ساخته اند که می تواند تراشه های ذخیره سازی حافظه با طول عمر تقریبا بی نهایت تولید کند. این کشف که با استفاده از نوع جدیدی از مواد فتوولتائیک انجام شد، می‌تواند راه را برای مراکز داده کاهش هزینه، اکتشافات اعماق دریا و صنعت هوافضا هموار کند.

به گفته هوش مصنوعی، در حال حاضر، مواد فروالکتریک اغلب برای تولید تراشه برای اهداف ذخیره سازی و سنجش استفاده می شود. این مواد برای هوش مصنوعی و سایر حوزه‌های فناوری پیشرفته که تحت تأثیر تحریم‌های آمریکا قرار گرفته‌اند، ضروری هستند.

مواد فروالکتریک به دلیل مصرف انرژی کم، خواندن بدون تلفات و قابلیت نوشتن سریع برای ایجاد تراشه های ذخیره سازی عالی هستند. این مواد می توانند به سرعت تحت یک میدان الکتریکی که به عنوان پلاریزاسیون شناخته می شود، حالت خود را تغییر دهند و حتی پس از حذف میدان پایدار بمانند.

این رفتار را می توان به نوعی فلش مموری دائمی تشبیه کرد.

تراشه های ذخیره سازی با طول عمر تقریبا بی نهایت

برای این منظور، در حال حاضر از مواد فروالکتریک در فناوری ذخیره سازی، حسگرها و دستگاه های برداشت انرژی استفاده می شود. با این حال، این پتانسیل را نیز دارد که در آینده برای ساخت سرورهای ذخیره سازی یا پشتیبانی از مراکز داده بزرگ استفاده شود.

مواد فتوولتائیک معمولی که به طور گسترده در تجارت استفاده می‌شوند، مانند سرب زیرکونات تیتانات (PZT)، ممکن است در حین استفاده دچار خستگی فوتوالکتریک شوند.

این منجر به کاهش عملکرد و در نهایت شکست می شود. هدف تیم چینی برای رفع این مشکل با تقویت ساختار مواد است.

هی ری، دانشیار و نویسنده اول این مطالعه، توضیح داد که وقتی بارهای الکتریکی در طول فرآیندهای ذخیره سازی و خواندن جریان پیدا می کنند، نقص ها حرکت می کنند و جمع می شوند که در نهایت فرآیند پلاریزاسیون را مسدود کرده و منجر به خرابی دستگاه می شود.

وی افزود: مانند امواجی است که سنگ های کوچک را در دریا جمع می کند و به تدریج سنگ بزرگی را تشکیل می دهد که مانع از جاری شدن امواج می شود.

مشخص شده است که این مشکل با ساخت مواد فروالکتریک به صورت لایه ای قابل حل است. با استفاده از شبیه‌سازی‌های سطح اتمی با کمک هوش مصنوعی، محققان کشف کردند که مواد فروالکتریک دوبعدی لغزشی معمولاً در هنگام انتقال بار در معرض میدان الکتریکی تغییر می‌کنند. این کار از حرکت و تجمع عیوب حامل و در نتیجه خستگی جلوگیری می کند.

این گروه یک ماده دو بعدی با ضخامت نانومتر به نام 3R-MoS2 ایجاد کردند. یک نانومتر حدود 100000 برابر کوچکتر از قطر موی انسان است.

پس از میلیون ها مطالعه و نوشتن هیچ تنزلی وجود ندارد

آزمایش‌ها نشان داده است که 3R-MoS2 پس از میلیون‌ها چرخه کاهش عملکرد را نشان نمی‌دهد، به این معنی که دستگاه‌های ذخیره‌سازی ساخته شده از این ماده فروالکتریک دوبعدی هیچ محدودیتی برای خواندن/نوشتن ندارند. این گزارش همچنین بیان کرد که در حالی که مواد فروالکتریک نوع یونی سنتی اجازه ده‌ها هزار چرخه خواندن/نوشتن را می‌دهند، دستگاه‌های ذخیره‌سازی ساخته شده از مواد فروالکتریک دوبعدی جدید چنین محدودیتی ندارند. بدون محدودیت خواندن/نوشتن، تراشه های ذخیره سازی ساخته شده از این ماده بسیار بادوام خواهند بود. به گفته دانشمندان، این آنها را برای استفاده در محیط های شدید مانند هوا فضا و اکتشافات در اعماق دریا ایده آل می کند.

تبلیغات بنری

khabarfarsi به نقل از توژال